半导体工业常用的混合气

　　1、外延（生长）混合物：在半导体工业中，在精心选择的衬底上选择化学气相淀积的方法，生长一层或多层材料所用的气体称为外延气体。包头气体常用的硅外延气体包括二氯二氢硅（dcs）、四氯化硅(sicl4)和硅烷。主要用于外延硅积累、氧化硅膜积累、氮化硅膜积累、太阳能电池等光感受器的非晶硅膜积累。外延是一种单晶材料在衬底表面积累和生长的过程。

　　2、化学气相积累（cvd）用混合气：cvd是利用挥发性化合物，通过气相化学变化淀积某种单质和化合物的一种方法，即应用气相化学变化的一种成膜方法。根据成膜类型，使用的化学气相积累（cvd）气体也有所不同。

　　3、混合混合气体：在半导体设备和集成电路制造中，电子气体和微信号bluceren咨询。将一些杂质与半导体材料混合，使材料具有所需的导电类型和一定的电阻，以制造电阻和pn结、埋层等。混合过程中使用的气体称为混合气体。主要包括砷烷、磷烷、三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氟化硼、乙硼烷等。混合源和运输气体（如氩气和n2）通常混合在源柜中。混合后，气流继续注入扩散炉，并在晶片周围沉积在晶片表面，从而与硅发生反应，形成混合金属并迁移到硅中。

　　4、蚀刻混合物：蚀刻是蚀刻基板上的加工表面（如金属膜、氧化硅膜等。），并保留光刻胶覆盖的区域，以确保在基板表面获得所需的图像图形。蚀刻方法包括湿化学蚀刻和干化学蚀刻。干化学蚀刻中使用的气体称为蚀刻气体。蚀刻气体一般为氯化物气体（卤化物），如四氟化碳、三氟化氮、三氟甲烷、六氟乙烷、全氟丙烷等。

　　*免责声明:转载内容均来自于网络，如有异议请及时联系，本网将予以删除。